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설명
X-선 반도체장치 반도체용 형광 X-선 분석장치 Wafer X310
· 특징
반도체용 형광 X-선 분석장치
- wafer size : up to 300mm
- multi layer film analysis
- 동시 분석 film thickness and composition
- FOUP (SMIF) 장착 가능
- multi point measuremment
- GEM 300 대응
· 상세 정보
300 mm사이즈까지의 웨이퍼상의 각종 박막의 두께와 조성을 동시에, 비파괴, 비접촉으로 분석할 수 있습니다. 측정 스테이지의 웨이퍼 이동 chuck을 X-Y-θ-Z구동 방식을 도입하여 강유전체 (PZT, BST등) 박막도 회절선의 영향 없고 정확하게 분석할 수 있습니다. 4 kW의 고파워 X-선관에서, BPSG막중의 B등의 초경원소도 고정밀도에 분석할 수 있습니다. 표면 조사 방식으로는 처음으로, 시료 높이 보정 기능을 실현했습니다. 금속막 측정을 위해 70μm의 조사 spot 사이즈의 X선원을 미소 부위나 edge부분까지의 막 두께 및 조성 분석이 가능하게 되었습니다.
· 제품 특징
· 특징
반도체용 형광 X-선 분석장치
- wafer size : up to 300mm
- multi layer film analysis
- 동시 분석 film thickness and composition
- FOUP (SMIF) 장착 가능
- multi point measuremment
- GEM 300 대응
· 상세 정보
300 mm사이즈까지의 웨이퍼상의 각종 박막의 두께와 조성을 동시에, 비파괴, 비접촉으로 분석할 수 있습니다. 측정 스테이지의 웨이퍼 이동 chuck을 X-Y-θ-Z구동 방식을 도입하여 강유전체 (PZT, BST등) 박막도 회절선의 영향 없고 정확하게 분석할 수 있습니다. 4 kW의 고파워 X-선관에서, BPSG막중의 B등의 초경원소도 고정밀도에 분석할 수 있습니다. 표면 조사 방식으로는 처음으로, 시료 높이 보정 기능을 실현했습니다. 금속막 측정을 위해 70μm의 조사 spot 사이즈의 X선원을 미소 부위나 edge부분까지의 막 두께 및 조성 분석이 가능하게 되었습니다.
· 제품 특징
- 반도체 공정: BPSG, SiO2, Si3N4, Doped polySi(B, P, N, As), Wsix, Al-Cu, TiW, TiN, TaN, PZT, BST, SBT, MRAM 등
- 금속막: Mo, Ti, Co, Ni, Al, Cu, Ir, Pt, Ru 등
- 자기 디스크: CoCrTa, CoCrPt, DLC, NiP 등
- 광학 자기 디스크: Tb-FeCo 등
- 자기 헤드: GMR, TMR 등
- 분석 원소: 4Be~92U
- X- Y-θ- Z 구동 방식의 시료 Stage와 측정 방향 설정 프로그램으로 두께와 조성 분포 측정을 할 수 있습니다.강유전체 박막도 회절선의 영향이 없습니다.
- Boron 분석에 대해서 끊임없는 개발을 실시, 항상 새로운 광학계를 제공해 분석 정밀도나 안정도의 향상을 계속 유지 하고 있습니다. 또, 안정화를 위해서 항온화 장치 및 진공도 안정화 기능을 장착하고 있습니다.
- WSix막이 Si웨이퍼상에서 분석할 수 있는 전용 광학계를 준비해 있습니다.
- 전자동 일괄 처리 장치 AutoCal: 정확한 분석치를 알기 위해서 장치의 상태를 확인이 필요합니다. 그 때문에 관리 웨이퍼를 설정 및 PHA 조정용 웨이퍼를 정기적으로 프로그램 측정을 통한, 장치의 상태를 확인 가능합니다.따라서 담당자가 주기적으로 확인을 하여야 하는 번거러움이 없어졌고, 장비의 최적 상태를 모니터링 할 수 있습니다. 이것이 「AutoCal」입니다.
- Fab에서의 Standard FOUP/SMIF 인터페이스를 장비, 200 mm/300 mm에 대응합니다. 또 여러가지 AMHS에 대응, 호스트 컴퓨터와 SECS/GEM 프로토콜의 대응으로, CIM/FA를 지지합니다.
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X-선 반도체장치 반도체용 형광 X-선 분석장치 Wafer X310
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