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설명
X-선 반도체장치 전반사 Wafer 표면오염 측정장치 TXRF-V310
· 특징
전반사 Wafer 표면오염 측정장치
- 분석 원소 : 11Na ~ 92U
- wafer size : up to 300mm
- 경원소 검출 가능 : Al, Mg, Na 분석 가능
- X-Y-θ stage 적용 (회절 peak의 간섭제거)
- 18kW high power generator
- 환경, 반도체 등의 극미량 오염 원소 분석 (ppt 단위)
· 상세 정보
웨이퍼 표면의 경원소인 Na 원소부터 중원소까지 오염 원소의 극미량 분석 을 할 수가 있습니다. 300 mm까지의 웨이퍼 고속 전면 매핑이나 회절 X-선의 방해를 제거할 수 있는 Stage 구동으로, 정확하고 고정밀의 오염 원소 분석이 가능합니다. 세계 최초, 특허 취득으로 유일한 VPD 장치를 장착한 TXRF-V310 은 천이 금속에서107atoms/cm2를 넘는 검출 하한을 실현시켜, 라인 현장이나 프로세스 개발에 좋은 성과가 있습니다.
· 제품 특징
· 특징
전반사 Wafer 표면오염 측정장치
- 분석 원소 : 11Na ~ 92U
- wafer size : up to 300mm
- 경원소 검출 가능 : Al, Mg, Na 분석 가능
- X-Y-θ stage 적용 (회절 peak의 간섭제거)
- 18kW high power generator
- 환경, 반도체 등의 극미량 오염 원소 분석 (ppt 단위)
· 상세 정보
웨이퍼 표면의 경원소인 Na 원소부터 중원소까지 오염 원소의 극미량 분석 을 할 수가 있습니다. 300 mm까지의 웨이퍼 고속 전면 매핑이나 회절 X-선의 방해를 제거할 수 있는 Stage 구동으로, 정확하고 고정밀의 오염 원소 분석이 가능합니다. 세계 최초, 특허 취득으로 유일한 VPD 장치를 장착한 TXRF-V310 은 천이 금속에서107atoms/cm2를 넘는 검출 하한을 실현시켜, 라인 현장이나 프로세스 개발에 좋은 성과가 있습니다.
· 제품 특징
- 로터형 고출력의 X-선관과 독자 설계의 monochrometer를 채용해, 다이렉트 측정법으로 전이 금속의 LLD108atoms/cm2대역를 실현 하였습니다. 또한 sealed형 방식의 X-선관으로 기존의 1/3의 측정 시간에도 같은 정밀도를 얻을 수 있고, 높은 throughput를 실현합니다.
- 장치 내에 VPD 장치를 탑재해 Na~U까지 초미량 분석이 가능합니다. 경원소 Al의 LLD는108대, 전이금속에서는106대를 실현했습니다. 물론, 전처리로부터 측정까지 완전 자동으로 분석을 실시합니다.
- 한 개의 X-선관으로부터 각 원소에 최적으로 단색빔을 취해 오염 원소 여기에 사용하기 때문에 Na, Mg, Al~U까지 고정밀도로 연속적으로 자동으로 분석을 실시합니다.
- 고차 반사를 억제한 광학계와 X, Y, θ 구동 Stage의 X-선 입사 방위 자동 선택 기능에 의해 기판으로부터의 회절선을 없애고, 산란선의 방해를 극소화 해 웨이퍼 전면에서 정확하고 고정밀의 미량 분석을 실시합니다.
- 웨이퍼상의 임의의 측정 위치를 정확하게 분석해, 다른 검사 장치와의 좌표를 공유합니다. 또한, 독자의 Algorithm을 통한 점적흔 Search 기능은 신속하고 정확한 좌표를 구할 수 있습니다.
- Bend혹은 Warp를 가진 Wafer도 자동 변위 보정기능에 의해, Wafer 전영역에서 동일한 입사각 분포의 분석이 가능합니다.
- Fab에서 매우 중요한 Footprint를 최소화 하여 VPD장치도 TXRF 장치 내에 장착이 가능합니다.
- 다이렉트 TXRF법으로 웨이퍼 전면을 빠짐없이 고속으로 오염 분석을 실시해, 오염 원소의 분포 상태를 분명히 하는 Sweeping-TXRF법을 사용할 수 있습니다. 5점이나 9점측정으로 전면의 오염을 상정하지 않고 300 mm웨이퍼로 290point의 측정을 50min에 완료합니다. 오염 원소의 분포 상태외에 적산(총합계)을 통해 전면의 평균 오염 농도도 산출할 수 있습니다.
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X-선 반도체장치 전반사 Wafer 표면오염 측정장치 TXRF-V310
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